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中低压SGTMOS系列简介

东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列,可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。


封装 料号 配置 VDS (V) VGS (V) ID (A) Tc=25 Vth_typ(V) Ron (Ω) DateSheet
TO-252 SFG08R06DF N 80 20 100 1.75 0.0065/0.009 点击下载
PDFN5*6 SFG08R06GF N 80 20 100 1.75 0.0065/0.009 点击下载
TO-252 SFG08R08DF N 80 20 70 1.75 0.008/0.01 点击下载
PDFN5*6 SFG08R08GF N 80 20 70 1.75 0.008/0.01 点击下载
TO-220 SFG08R08PF N 80 20 70 1.8 0.008/0.01 点击下载
SOP8 SFG08R16BF N 80 20 8 1.8 0.016/0.02 点击下载
TO-252 SFG08R16DF N 80 20 40 1.8 0.016/0.02 点击下载
PDFN5*6 SFG100N08GF N 80 20 100 3 0.0065 点击下载
TO-263 SFG100N08KF N 80 20 100 3 0.0065 点击下载
TO-220 SFG100N08PF N 80 20 100 3 0.0065 点击下载
PDFN5*6 SFG100N10GF N 100 20 100 3 0.008 点击下载
TO-220 SFG100N10PF N 100 20 100 3 0.008 点击下载
SOP8 SFG10R08BF N 100 20 16 1.8 0.008/0.01 点击下载
PDFN5*6 SFG10R08GF N 100 20 100 1.8 0.0087/0.01 点击下载
TO-220 SFG10R08PF N 100 20 100 1.8 0.008/0.01 点击下载
TO-251 SFG10R10AF N 100 20 70 1.75 0.01/0.012 点击下载
SOP8 SFG10R10BF N 100 20 14 2 0.01/0.012 点击下载
TO-252 SFG10R10DF N 100 20 70 1.75 0.01/0.012 点击下载
TO-220F SFG10R10FF N 100 20 70 1.75 0.01/0.012 点击下载
PDFN5*6 SFG10R10GF N 100 20 70 1.75 0.01/0.012 点击下载
TO-262 SFG10R10IF N 100 20 70 1.75 0.01/0.014 点击下载
TO-220 SFG10R10PF N 100 20 70 1.75 0.01/0.012 点击下载
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